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Arbeitsspeicher (RAM) » Speicher mit Hersteller: Samsung, CL Vorgangsdauer bis 13.6ns, tRP Vorgangsdauer ab 10.0ns

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Standard:DDR3 (26)
Art:UDIMM (14) UDIMM mit ECC (1) RDIMM mit ECC (11)
Typen:DDR3 (26) DDR3L Low Voltage (4) DDR3 ohne Low Voltage (22) DIMM (14) SO-DIMM (12) mit ECC (12) ohne ECC (14) nicht Load-Reduced (26) Registered Module (11) Unregistered Module (15) Buffered Memory (11) Unbuffered Memory (15) Modul ohne Beleuchtung (26) kein NVDIMM (26)
Hersteller:ADATA Aeneon AntecMemory Apacer Avexir CompuStocx Corsair Crucial Elixir exceleram G.Skill GeIL Gigabyte Goodram INNO3D Kingston Klevv Micron Mushkin OCZ OWC Patriot PNY Samsung (26) Silicon Power SK Hynix Super Talent TeamGroup Thermaltake Transcend Alle
Packungsgröße ab:unter 2GB (2) ab 2GB (24) ab 4GB (18) ab 8GB (6) ab 16GB (3) ab 32GB (2)
Packungsgröße bis:bis 2GB (8) bis 4GB (20) bis 8GB (23) bis 16GB (24) bis 32GB (26)
Einzelmodulgröße:32GB (2) 16GB (1) 8GB (3) 4GB (12) 2GB (6) 1GB (2)
Module Anzahl:1x (26)
Speichertakt:1066MHz (2) 1333MHz (23) 1600MHz (1)
Speichertakt ab:ab 1066MHz (26) ab 1333MHz (24) ab 1600MHz (1)
Speichertakt bis:bis 1066MHz (2) bis 1333MHz (25) bis 1600MHz (26)
Column Address Strobe Latency (CL):7 (3) 9 (23)
CL Vorgangsdauer ab:ab 10.5ns (26) ab 11.2ns (25) ab 13.1ns (24) ab 13.5ns (22)
CL Vorgangsdauer bis:bis 10.6ns (1) bis 11.3ns (2) bis 13.2ns (4) bis 13.6ns (26) Alle
Row-to-Column Delay (tRCD):7 (3) 9 (23)
tRCD Vorgangsdauer ab:ab 10.5ns (26) ab 11.2ns (25) ab 13.1ns (24) ab 13.5ns (22)
tRCD Vorgangsdauer bis:bis 10.6ns (1) bis 11.3ns (2) bis 13.2ns (4) bis 13.6ns (26)
Row Precharge Time (tRP):7 (3) 9 (23)
tRP Vorgangsdauer ab:ab 10.0ns (26) ab 10.5ns (26) ab 11.2ns (25) ab 13.1ns (24) ab 13.5ns (22) Alle
tRP Vorgangsdauer bis:bis 10.6ns (1) bis 11.3ns (2) bis 13.2ns (4) bis 13.6ns (26)
Rank:single (4) dual (7) quad (2) unbekannt (13)
Mindestspannung:1.35V (4) 1.50V (22)
Maximalspannung:1.50V (26)
Norm-Modulhöhe (JEDEC):DDRx DIMM/SO-DIMM (30mm/1.18") (26)
Modulhöhe ab:ab 30mm (26)
Modulhöhe bis:bis 30mm (26)
Gehäuse:N/A (26)
Beleuchtung:keine (26)
Besonderheiten:low voltage (4)
Herstellergarantie:2 Jahre (1) unbekannt (25)
Gelistet seit:ab 2009 (26) ab 2010 (24) ab 2011 (21) ab 2012 (17) ab 2013 (10) ab 2016 (3) ab 2019 (1)
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Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M378B5273DH0-CH9)

Typ: DDR3 DIMM 240-Pin • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667U • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

13
ab € 26,00 (6,500/GB)
[DE] antarris und 3 weitere Händler
Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1066, CL7-7-7 (M471B5673FH0-CF8)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 2GB • JEDEC: PC3-8500S • CAS Latency CL: 7 (entspricht ~13.13ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 7 (entspricht ~13.13ns) • Row Precharge Time tRP: 7 (entspricht ~13.13ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

9
ab € 22,90 (11,450/GB)
[DE] antarris und 2 weitere Händler
Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5773DH0-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 2GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

5
ab € 19,90 (9,950/GB)
[DE] antarris und 1 weiterer Händler
Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5273CH0-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

10
ab € 22,50 (5,625/GB)
Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5273DH0-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

17
ab € 15,91 (3,978/GB)
Samsung RDIMM 32GB, DDR3L-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B4G70DM0-YH9)

Typ: DDR3L RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: quad rank, x4 • Module: 1x 32GB • JEDEC: PC3L-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) ...

14
ab € 250,00 (7,812/GB)
Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M378B5273CH0-CH9)

Typ: DDR3 DIMM 240-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x4 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667U • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: ...

5
ab € 22,00 (5,500/GB)
Samsung RDIMM 4GB, DDR3-1066, CL7-7-7, reg ECC (M393B5273CH0-CH9)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank, x8 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-8500R • CAS Latency CL: 7 (entspricht ~13.13ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 7 (entspricht ~13.13ns) • Row Precharge Time tRP: 7 (entspricht ~13.13ns) • ...

3
ab € 39,95 (9,988/GB)
[DE] antarris und 1 weiterer Händler
Samsung RDIMM 32GB, DDR3L-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B4G70BM0-YH9)

Typ: DDR3L RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: quad rank, x4 • Module: 1x 32GB • JEDEC: PC3L-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) ...

2
ab € 133,50 (4,172/GB)
Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5673FH0-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 2GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

8
ab € 16,40 (8,200/GB)
[DE] SiQuell.direkt und 1 weiterer Händler
Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5273BH1-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

6
ab € 22,50 (5,625/GB)
[DE] SiQuell.direkt und 3 weitere Händler
Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5273DM0-CH900)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

3
ab € 67,90 (16,975/GB)
[DE] SiQuell.direkt und 1 weiterer Händler
Samsung DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9, ECC (M391B5673EH1-CH9)

Typ: DDR3 DIMM 240-Pin, ECC • Module: 1x 2GB • JEDEC: PC3-10667E • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

1
€ 29,90 (14,950/GB)
Samsung RDIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B5170EH1-CH9)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

1
€ 62,90 (15,725/GB)
Samsung RDIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B5170FH0-YH9)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank, x4 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

2
ab € 45,99 (11,498/GB)
Samsung RDIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B5170GB0-CH909)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank, x4 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

2
ab € 44,95 (11,238/GB)
Samsung RDIMM 4GB, DDR3-1600, CL9-9-9, reg ECC (M393B5273DH0-CH9)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-12800R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~11.25ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~11.25ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~11.25ns) • ...

3
ab € 31,10 (7,775/GB)
Samsung RDIMM 4GB, DDR3L-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B5270DH0-YH9)

Typ: DDR3L RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: single rank, x4 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3L-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) ...

2
ab € 39,90 (9,975/GB)
Samsung RDIMM 8GB, DDR3-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B1K70DH0-CH9)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC3-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

2
ab € 48,41 (6,051/GB)
Samsung RDIMM 8GB, DDR3L-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B1K70DH0-YH9)

Typ: DDR3L RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC3L-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

15
ab € 39,90 (4,987/GB)
[DE] SiQuell.direkt und 3 weitere Händler
Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1333, CL9-9-9, reg ECC (M393B2G70BH0-CH9)

Typ: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC • Ranks/Bänke: dual rank, x4 • Module: 1x 16GB • JEDEC: PC3-10667R • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

2
ab € 216,00 (13,500/GB)
Samsung SO-DIMM 1GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B2873FHS-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 1GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

3
ab € 9,82 (9,820/GB)
Samsung SO-DIMM 1GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B2873GB0-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 1x 1GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • ...

1
€ 79,00 (79,000/GB)
Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL7-7-7 (M471B5773CHS-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 2GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 7 (entspricht ~10.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 7 (entspricht ~10.50ns) • Row Precharge Time tRP: 7 (entspricht ~10.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

1
€ 22,80 (11,400/GB)
Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B5673EH1-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 2GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

4
ab € 34,50 (17,250/GB)
Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3-1333, CL9-9-9 (M471B1G73AH0-CH9)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC3-10667S • CAS Latency CL: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht ~13.50ns) • Spannung: 1.50V • Modulhöhe: 30mm • ...

2
ab € 108,90 (13,613/GB)
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