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Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2RX8
- Formfaktor
- DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Modultyp
- SO-DIMM Non-ECC (Unbuffered)
- Datenrate
- 1600MT/s
- Module
- 1x 8GB
- ECC
- N/A
- JEDEC-Modulbezeichnung
- PC3L-12800S
- Spannung
- 1.35V (JEDEC-Normspannung)
- Modulhöhe
- 30mm (JEDEC-Normhöhe)
- Organisation
- dual rank, x8
- Gehäuse
- N/A
- Beleuchtung
- N/A
- Besonderheiten
- JEDEC-Standardprofil (DDR3L-1600/CL11)
- CAS Latency (CL)
- 11 (13.75ns)
- Row-to-Column (tRCD)
- 11 (13.75ns)
- Row Precharge (tRP)
- 11 (13.75ns)
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Samsung 8GB Modul DDR3 RAM 1600 Mhz PC3L-12800 SO-DIMM (M471B1G73DB0-YK0)
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Samsung 2x 8GB = 16GB KIT DDR3L RAM 1600 Mhz PC3-12800 SO-DIMM (M471B1G73DB0-YK0)
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Samsung 4x 8GB = 32GB KIT DDR3L RAM 1600 Mhz PC3-12800 SO-DIMM (M471B1G73DB0-YK0)
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Samsung 8GB DDR3L SO DIMM RAM 1600 Mhz PC3L-12800S für QNAP NAS TS-251A, TS-251+
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Samsung 8 GB DDR3 SO-DIMM
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- Formfaktor
- DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Modultyp
- SO-DIMM Non-ECC (Unbuffered)
- Datenrate
- 1600MT/s
- Module
- 1x 8GB
- ECC
- N/A
- JEDEC-Modulbezeichnung
- PC3L-12800S
- Spannung
- 1.35V (JEDEC-Normspannung)
- Modulhöhe
- 30mm (JEDEC-Normhöhe)
- Organisation
- dual rank, x8
- Gehäuse
- N/A
- Beleuchtung
- N/A
- Besonderheiten
- JEDEC-Standardprofil (DDR3L-1600/CL11)
- CAS Latency (CL)
- 11 (13.75ns)
- Row-to-Column (tRCD)
- 11 (13.75ns)
- Row Precharge (tRP)
- 11 (13.75ns)
- Letztes Preisupdate
- Gelistet seit
- 21.07.2016, 14:03
-
Stand: 13.10.2015 .pdf [986.02 KB]
Bewertung für Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2RX8
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