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SK Hynix SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 (HMA81GS6CJR8N-VK)

Typ DDR4 SO-DIMM 260-Pin
Ranks/Bänke single rank, x8
Module 1x 8GB
JEDEC PC4-21300S
CAS Latency CL 19 (entspricht ~14.25ns)
Row-to-Column Delay tRCD 19 (entspricht ~14.25ns)
Row Precharge Time tRP 19 (entspricht ~14.25ns)
Spannung 1.2V
Modulhöhe 30mm
Gehäuse N/​A
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Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
8GB Hynix HMA81GS6CJR8N (bulk) DDR4-2666 SO-DIMM CL19 Single
Art# 8910175
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
SK Hynix Hynix - DDR4 - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19
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Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
Hynix - DDR4 - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC (HMA81GS6CJR8N-VK)
(Art# 4794649)
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
SK Hynix Hynix RAM SO-DIMM DDR4 8GB/PC2666/UB/Hynix 8 GB 2.666 MHz (HMA81GS6CJR8N-VK)
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
Hynix RAM SO-DIMM DDR4 8GB PC2666 UB (HMA81GS6CJR8N-VK)
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
Hynix RAM SO-DIMM DDR4 8GB PC2666 UB (HMA81GS6CJR8N-VK)
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[DE]
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK
Hynix RAM SO-DIMM DDR4 8GB PC2666 UB (HMA81GS6CJR8N-VK)
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Ranks/Bänke single rank, x8
Module 1x 8GB
JEDEC PC4-21300S
CAS Latency CL 19 (entspricht ~14.25ns)
Row-to-Column Delay tRCD 19 (entspricht ~14.25ns)
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Spannung 1.2V
Modulhöhe 30mm
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